11月10日，“DRAM教父”高启全在兆捷科技上市前媒体交流会上接受媒体采访时表示，台积电跨界DRAM制造“不可能”，他还警告称长鑫存储“两年后产能大量开出”，届时全球市场将供过于求。高启全曾任南亚科总经理、华亚科董事长，也曾在英特尔、台积电任职，现为兆捷科技董事长。他在发言在中国台湾存储产业圈具有相当分量。

近期市场传闻英伟达希望台积电评估3D DRAM制造，以配合先进封装与异质整合需求。台积电方面已回应不评论市场传闻，重申专注晶圆代工核心业务。

高启全对此回应称，台积电持续深化先进封装与3D整合技术，与台积电是否亲自生产DRAM存储单元，是两个独立的问题。台积电可以持续深化先进封装和3D整合技术，但没有必要因此直接跨入DRAM制造。因为，逻辑芯片与DRAM在制程技术、产品设计与量产经验上存在显著差异，“你只要不是专业的，很难做”。他还回顾了早年世界先进曾尝试跨入存储领域，最终以失败收场并转回代工，认为台积电不会重走这条路。

这一判断的技术依据在于DRAM的结构性难题。高启全解释称，DRAM每个存储单元由一个晶体管加一个电容组成，电容的物理存在让面积极难缩小，还面临严重的漏电障碍。目前主流DRAM仅推进至6F²架构，4F²尚未有厂商真正实现大规模量产。相比之下，NAND Flash因无电容结构可以做到4F²，但DRAM的3D堆叠在技术上“极难成真”。他强调，连三星与美光都尚未做出来，中国厂商虽高调宣传4F²进展，但短期内难以突破。

值得补充的是，美光确实已在2026年10月明确放弃4F²路线，首席技术与产品官Scott DeBoer称该方向“没有可行的微缩路径”，美光将沿6F²路径开发3D DRAM。而三星与SK海力士仍在推进4F²研发，三星已在ISSCC 2026展示16Gb 4F² DRAM原型。技术路线的分歧本身说明，这一代DRAM微缩尚无共识答案。

面对媒体关于AI时代逻辑芯片与存储器逐渐走向3D堆叠、异质整合，台积电是否需要自行生产DRAM的追问，他明确表示，这是两回事。

比起台积电的传闻，高启全把警告的重点放在了长鑫存储的DRAM产能扩张上。他透露，长鑫存储已在北京、上海等地大举扩建，规模“极为庞大”。“两年后，产能就会大量开出来。”

高启全特别反驳了中国台湾业者中一种乐观看法，即“中国大陆产能仅供内需，不致影响全球市场”。他的判断是，这只是当前市况良好下的短期表象。即便长鑫存储因缺乏EUV设备而使用成熟制程，其产能一旦大量倾泻，市场仍将陷入严重供过于求。

值得注意的是，三星电子前半导体事业社长庆桂显此前曾警告，中国存储厂商的激进扩产可能在2027年下半年引发全球供给激增，价格最快在2028年上半年出现广泛下行。

高启全在采访中还谈到了NAND Flash市场的竞争态势。他提到，由他早年参与创立的长江存储，其NAND Flash技术已具备全球领先实力，甚至将专利授权给三星与美光。

这一说法早有公开信息佐证。2025年，三星已与长江存储签署3D NAND Flash混合键合专利许可协议，从V10 NAND开始使用其“混合键合”技术。长江存储围绕Xtacking架构的全球专利超过12800件，其中混合键合核心专利119件。这与逻辑代工受制于EUV设备的处境形成对比：中国在NAND Flash 领域确实积累了可输出的专利资产。

高启全指出，中国台湾存储厂扩产脚步落后，技术与市占率均不如对手。一旦市场短缺，国际终端客户仍会向中国大陆供应商采购，美国政府也难以全面阻绝。两年后中国大陆存储产能全面开出，竞争外溢的首当其冲者，正是中国台湾存储产业。

编辑：芯智讯-浪客剑