据The Information近期报道，台积电正应英伟达的要求探索3D DRAM的生产，因为人工智能硬件需求的激增导致全球DRAM供应紧张，价格上涨。 如果该提议最终实现，台积电将获得一项新的业务，尽管这项业务也容易受到周期性风险的影响，但同时也可能大幅提升其在人工智能供应链中的地位。而台积电方面则表示，公司是一家纯粹的逻辑芯片代工厂，并计划继续专注于逻辑芯片代工厂业务，这实际上否认了该报道。

台积电发言人告诉Tom's Hardware：“请注意，台积电始终专注于我们的核心业务，即专业的集成电路代工。我们的使命是成为未来多年全球逻辑集成电路行业值得信赖的技术和产能提供商。”

尽管台积电否认了这一消息，但据《The Information》援引两位知情人士的消息称，台积电已开始着手准备3D DRAM的生产计划，这是应其最大客户英伟达的要求而采取的措施。据悉，该计划由台积电负责先进封装业务的副总裁、前美光台湾业务负责人许国进负责。此举正值内存短缺问题日益严重之际，内存已从一种普通商品转变为一种战略资产，其供应状况可能决定一家公司能否按时向客户交付产品。

尽管台积电在为客户封装系统级封装（SiP）的过程中与DRAM生产商密切合作，但该公司缺乏生产DRAM（更不用说3D DRAM）的专业知识和产能。同时，考虑到即使对于主要的存储器制造商而言，3D DRAM的普及也需要数年时间，因此，推行3D DRAM战略至少在未来五年内无法解决存储器短缺问题。

与将存储单元排列在单个平面上的传统DRAM不同，3D DRAM将存储单元垂直排列成多层，以提高每片晶圆的容量。三大DRAM制造商——美光、三星和SK海力士——都在研发各自的3D DRAM项目。然而，在3D DRAM真正问世之前，美光的DRAM战略至少还包括四种其他的平面DRAM工艺技术。

尽管台积电拥有业内公认的顶尖逻辑工艺技术，但DRAM的生产需要完全不同的制造工艺。如果台积电想要为客户生产存储器，就必须开发出相应的工艺。同时，3D DRAM的生产也需要完全不同的制造技术，才能在控制缺陷和保持可接受的良率的同时，构建多层存储单元。如果没有具有竞争力的平面DRAM工艺技术，几乎不可能开发出3D DRAM制造工艺，而台积电目前并不具备这样的技术。

台积电进军DRAM业务的途径之一是收购一家拥有自主制程能力的小型专业存储器生产商。这将为台积电提供一条可靠的途径，使其能够进入先进的DRAM制造领域，而无需从零开始开发底层存储器技术和知识产权。然而，小型制造商并不具备领先的通用DRAM制程工艺，因此台积电仍然需要投入数十亿美元和数年时间进行研发，以开发先进的DRAM制程技术。

然而，进军DRAM制造领域将使台积电面临巨大的市场风险。内存短缺往往会导致产能扩张，最终造成供应过剩，从而压低价格并降低利润。这种不确定性无疑会让台积电在决定进军DRAM领域之前三思而行。此外，进入DRAM业务也可能使台积电与大型DRAM制造商的关系更加复杂，尤其是与SK海力士的关系。SK海力士已于2024年与台积电达成合作，共同生产下一代HBM产品的逻辑芯片。

台积电进军DRAM制造领域的潜在举措也可能引发反垄断方面的质疑，尤其是在该公司将其在尖端逻辑电路制造、先进芯片封装以及不断扩大的存储器产能等领域的统治地位结合起来的情况下。监管机构可能会审查这种垂直整合是否会使台积电偏袒自家存储器产品，或使缺乏这种垂直整合的竞争对手处于不利地位。另一方面，台积电自主研发DRAM也可能通过在目前由三家厂商主导的市场中引入另一家供应商来加强竞争。

然而，台积电并非一定要生产DRAM才能从日益增长的先进存储器需求中获益。它可以通过生产用于HBM的精密逻辑芯片、利用其SoIC混合键合技术将存储器与处理器集成，以及与GUC等合作伙伴和成熟的DRAM制造商共同开发定制化存储器解决方案，从而获得DRAM市场更大的价值份额。这种方式可以让台积电在先进存储器市场拓展业务，而无需投入数十亿美元从零开始研发具有竞争力的DRAM工艺技术，也无需耗资数百亿美元新建晶圆厂。

(来源：编译自tomshardware)